창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C7V5S-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
카탈로그 페이지 | 1581 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
구성 | 2 독립형 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 7.5V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C7V5S-FDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C7V5S-7-F | |
관련 링크 | BZX84C7V, BZX84C7V5S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | RG1608P-1022-B-T5 | RES SMD 10.2KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608P-1022-B-T5.pdf | |
![]() | MBB02070C2051FCT00 | RES 2.05K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C2051FCT00.pdf | |
![]() | 8J101/GT8J101 | 8J101/GT8J101 TOSHIBA TO-220 | 8J101/GT8J101.pdf | |
![]() | CR2010-2W-3651FT | CR2010-2W-3651FT Venkel SMD | CR2010-2W-3651FT.pdf | |
![]() | SABVECON | SABVECON INFINEON QFP | SABVECON.pdf | |
![]() | BYD77G/T3 | BYD77G/T3 PHI SMD or Through Hole | BYD77G/T3.pdf | |
![]() | CRDF-272T | CRDF-272T ORIGINAL SMD or Through Hole | CRDF-272T.pdf | |
![]() | PNX5209EL-047-4A | PNX5209EL-047-4A ORIGINAL SMD or Through Hole | PNX5209EL-047-4A.pdf | |
![]() | AM29F100T-75EC | AM29F100T-75EC AMD TSOP | AM29F100T-75EC.pdf | |
![]() | RMB1-3.2 | RMB1-3.2 KST SMD or Through Hole | RMB1-3.2.pdf | |
![]() | SAYZY1G88CA0B00B0S | SAYZY1G88CA0B00B0S ORIGINAL SMD or Through Hole | SAYZY1G88CA0B00B0S.pdf | |
![]() | LP38511TS1.8NOPB | LP38511TS1.8NOPB NSC SMD or Through Hole | LP38511TS1.8NOPB.pdf |