창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C7V5-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4 - BZX84C51 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 7.5V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C7V5DITR BZX84C7V5T BZX84C7V5TR BZX84C7V5TR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C7V5-7 | |
| 관련 링크 | BZX84C, BZX84C7V5-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 5SNS100W12100D | 5SNS100W12100D FUJI SMD or Through Hole | 5SNS100W12100D.pdf | |
![]() | MC74F283N | MC74F283N MOTOROLA DIP | MC74F283N.pdf | |
![]() | PCF8591 | PCF8591 PH SOP | PCF8591.pdf | |
![]() | HER3003PT | HER3003PT TSC SMD or Through Hole | HER3003PT.pdf | |
![]() | ST92F150JDV1T | ST92F150JDV1T ST QFP | ST92F150JDV1T.pdf | |
![]() | 2ap24j | 2ap24j CHINA TO39 | 2ap24j.pdf | |
![]() | SAB-4163L25F | SAB-4163L25F infineon TQFP | SAB-4163L25F.pdf | |
![]() | EP2SG30CF780C4 | EP2SG30CF780C4 ORIGINAL BGA | EP2SG30CF780C4.pdf | |
![]() | MFQ100-08-2 | MFQ100-08-2 ORIGINAL SMD or Through Hole | MFQ100-08-2.pdf | |
![]() | LD7220 | LD7220 INTEL DIP | LD7220.pdf | |
![]() | MAX887HESA+ | MAX887HESA+ MAXIM SOIC | MAX887HESA+.pdf |