창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C6V8S-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 구성 | 2 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C6V8SDITR BZX84C6V8STR BZX84C6V8STR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C6V8S-7 | |
| 관련 링크 | BZX84C6, BZX84C6V8S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | RCP0603W560RGEC | RES SMD 560 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603W560RGEC.pdf | |
![]() | PVZ3G331C01R00 | PVZ3G331C01R00 MURATA SMD | PVZ3G331C01R00.pdf | |
![]() | MS6 | MS6 ORIGINAL SOT-223 | MS6.pdf | |
![]() | D9DJQ | D9DJQ ORIGINAL BGA | D9DJQ.pdf | |
![]() | 400KXW82M14.5X35 | 400KXW82M14.5X35 RUBYCON DIP | 400KXW82M14.5X35.pdf | |
![]() | 6853G | 6853G INFINEON MSOP10 | 6853G.pdf | |
![]() | DM74ALS574AWM | DM74ALS574AWM NS SMD or Through Hole | DM74ALS574AWM.pdf | |
![]() | MSM27C201ZB NGS K | MSM27C201ZB NGS K OKI SMD or Through Hole | MSM27C201ZB NGS K.pdf | |
![]() | 10668677 | 10668677 NS TO8 | 10668677.pdf | |
![]() | 74LVT1403DR2G | 74LVT1403DR2G NXP TSSOP | 74LVT1403DR2G.pdf | |
![]() | RDC19222-201 | RDC19222-201 DDC PLCC | RDC19222-201.pdf | |
![]() | 2H226L | 2H226L CHINA SMD or Through Hole | 2H226L.pdf |