창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C6V2S-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
구성 | 2 독립형 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C6V2SDITR BZX84C6V2STR BZX84C6V2STR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C6V2S-7 | |
관련 링크 | BZX84C6, BZX84C6V2S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | 416F48012CDT | 48MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48012CDT.pdf | |
![]() | HEDS-9100#A00 | ENCODER MOD OPT INCREMENTAL 2CH | HEDS-9100#A00.pdf | |
![]() | R6522/P | R6522/P MICROCHIP DIP | R6522/P.pdf | |
![]() | NF4-9V | NF4-9V ORIGINAL DIP | NF4-9V.pdf | |
![]() | MAS3519FB4 | MAS3519FB4 MICRONAS QFP | MAS3519FB4.pdf | |
![]() | H8BCS0SI0MAP_56M | H8BCS0SI0MAP_56M Hynix SMD or Through Hole | H8BCS0SI0MAP_56M.pdf | |
![]() | 2.5MBPH-12 | 2.5MBPH-12 LUMBERG SMD or Through Hole | 2.5MBPH-12.pdf | |
![]() | 8829CSNG4KN1 (XOCECO-A70V1) | 8829CSNG4KN1 (XOCECO-A70V1) Xoceco DIP-64 | 8829CSNG4KN1 (XOCECO-A70V1).pdf | |
![]() | ITD-3000 | ITD-3000 INTEGR QFN | ITD-3000.pdf | |
![]() | CM2545X111R-OO | CM2545X111R-OO STEWARD SMD | CM2545X111R-OO.pdf | |
![]() | JRC-27F-DC12V | JRC-27F-DC12V ORIGINAL DIP | JRC-27F-DC12V.pdf | |
![]() | LQP10A33NG00T1M00-01/T265 | LQP10A33NG00T1M00-01/T265 MURATA O4O2 | LQP10A33NG00T1M00-01/T265.pdf |