창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C6V2S-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 구성 | 2 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C6V2SDITR BZX84C6V2STR BZX84C6V2STR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C6V2S-7 | |
| 관련 링크 | BZX84C6, BZX84C6V2S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | TM3D157K6R3HBA | 150µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2917 (7343 Metric) 600 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TM3D157K6R3HBA.pdf | |
![]() | ASTMHTA-8.000MHZ-AC-E-T3 | 8MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTA-8.000MHZ-AC-E-T3.pdf | |
![]() | ERA-6AEB2743V | RES SMD 274K OHM 0.1% 1/8W 0805 | ERA-6AEB2743V.pdf | |
![]() | YC162-FR-07100RL | RES ARRAY 2 RES 100 OHM 0606 | YC162-FR-07100RL.pdf | |
![]() | JTX4N24U | JTX4N24U MII SMD or Through Hole | JTX4N24U.pdf | |
![]() | MP2509 | MP2509 M-PULSE SMD or Through Hole | MP2509.pdf | |
![]() | AP3406A | AP3406A BCD SOT-23 | AP3406A.pdf | |
![]() | MBCG46183-110PFV-G | MBCG46183-110PFV-G FUJITSU TQFP | MBCG46183-110PFV-G.pdf | |
![]() | SAS331KD07 | SAS331KD07 ORIGINAL SMD or Through Hole | SAS331KD07.pdf | |
![]() | SYRH127-220M | SYRH127-220M ORIGINAL SMD or Through Hole | SYRH127-220M.pdf |