창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C6V2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C 3V3 - BZX84C 33 Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
PCN 조립/원산지 | SOT23 Manufacturing Source 31/May2013 Assembly Site Addition 20/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1607 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 350mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C6V2FSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C6V2 | |
관련 링크 | BZX84, BZX84C6V2 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | B41044A7477M | 470µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | B41044A7477M.pdf | |
![]() | 1206GC101KAZ1A | 100pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1206GC101KAZ1A.pdf | |
![]() | IXE5416ECA2 | IXE5416ECA2 Intel IC Telecomm Datacomm | IXE5416ECA2.pdf | |
![]() | L78L06ACCD13TR | L78L06ACCD13TR ST N A | L78L06ACCD13TR.pdf | |
![]() | CS1034YT7G | CS1034YT7G ON TO220-7 | CS1034YT7G.pdf | |
![]() | MB88P505H | MB88P505H MEISEI DIP-42 | MB88P505H.pdf | |
![]() | FAH | FAH NO SMD or Through Hole | FAH.pdf | |
![]() | RLZTE112.4B | RLZTE112.4B ROHM SMD or Through Hole | RLZTE112.4B.pdf | |
![]() | UPD65804GM-E00-3ED | UPD65804GM-E00-3ED NEC QFP | UPD65804GM-E00-3ED.pdf | |
![]() | QSXTM06000UG55CRF | QSXTM06000UG55CRF MEC SMD or Through Hole | QSXTM06000UG55CRF.pdf | |
![]() | SPU01N-15D3 | SPU01N-15D3 MW SMD or Through Hole | SPU01N-15D3.pdf |