창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C6V2-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4 - BZX84C51 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C6V2-FDITR BZX84C6V27F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C6V2-7-F | |
관련 링크 | BZX84C6, BZX84C6V2-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | AA1210JR-0756RL | RES SMD 56 OHM 5% 1/2W 1210 | AA1210JR-0756RL.pdf | |
![]() | CRCW02012M00JNED | RES SMD 2M OHM 5% 1/20W 0201 | CRCW02012M00JNED.pdf | |
![]() | DFNA4991DT1 | RES ARRAY 4 RES 4.99K OHM 8VDFN | DFNA4991DT1.pdf | |
![]() | HX1501-33BSL | HX1501-33BSL RCR SMD or Through Hole | HX1501-33BSL.pdf | |
![]() | TLZ8V2B-GS08/8.2V | TLZ8V2B-GS08/8.2V VISHAY LL34 | TLZ8V2B-GS08/8.2V.pdf | |
![]() | 232215621003 | 232215621003 BCCOMPONENTS SMD or Through Hole | 232215621003.pdf | |
![]() | B43584A2109M000 | B43584A2109M000 EPCOS SMD or Through Hole | B43584A2109M000.pdf | |
![]() | SG3000JX26G | SG3000JX26G Toshiba SMD or Through Hole | SG3000JX26G.pdf | |
![]() | SKB04N60 | SKB04N60 INFINEON TO-263 | SKB04N60.pdf | |
![]() | SUP835G2V-12UI | SUP835G2V-12UI ST QFP | SUP835G2V-12UI.pdf | |
![]() | ELXY630ETD680MJ16S | ELXY630ETD680MJ16S Chemi-con NA | ELXY630ETD680MJ16S.pdf | |
![]() | IR4DBZ | IR4DBZ IOR SOP | IR4DBZ.pdf |