창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C5V6TS-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BCX84C2V4TS - BCX84C39TS | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1581 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 구성 | 3 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C5V6TS-FDITR BZX84C5V6TS7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C5V6TS-7-F | |
| 관련 링크 | BZX84C5V6, BZX84C5V6TS-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | ES3B-13 | DIODE GEN PURP 100V 3A SMC | ES3B-13.pdf | |
![]() | LTH-209-01 | PHOTOINTERRUPTER REFL 940/PTR | LTH-209-01.pdf | |
![]() | USB3336E-GL-TR | USB3336E-GL-TR SMSC WLCP25 | USB3336E-GL-TR.pdf | |
![]() | TC7WBL3305CFK,LF | TC7WBL3305CFK,LF TOSHIBA VSSOP-8 | TC7WBL3305CFK,LF.pdf | |
![]() | GTS638L | GTS638L GTS DIP | GTS638L.pdf | |
![]() | EP13ST015 | EP13ST015 panasonic SMD or Through Hole | EP13ST015.pdf | |
![]() | KDC5512-Q48EVAL | KDC5512-Q48EVAL Intersil Onlyoriginal | KDC5512-Q48EVAL.pdf | |
![]() | SKT16F16CS | SKT16F16CS SEMIKRON SMD or Through Hole | SKT16F16CS.pdf | |
![]() | DTZTT1113B/13V | DTZTT1113B/13V ROHM SOD-323 | DTZTT1113B/13V.pdf | |
![]() | IVN6100TNT | IVN6100TNT SILICONI CAN3 | IVN6100TNT.pdf |