창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C5V6-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4 - BZX84C51 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
| 허용 오차 | ±7% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C5V6DITR BZX84C5V6T BZX84C5V6TR BZX84C5V6TR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C5V6-7 | |
| 관련 링크 | BZX84C, BZX84C5V6-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | LQP02HQ2N1C02E | 2.1nH Unshielded Thin Film Inductor 650mA 100 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | LQP02HQ2N1C02E.pdf | |
![]() | CPF0805B36R5E1 | RES SMD 36.5 OHM 0.1% 1/10W 0805 | CPF0805B36R5E1.pdf | |
![]() | RT1210CRD07887RL | RES SMD 887 OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRD07887RL.pdf | |
![]() | PFC10-130RF1 | RES SMD 130 OHM 1% 25W PFC10 | PFC10-130RF1.pdf | |
![]() | CPCC05R3900JE66 | RES 0.39 OHM 5W 5% RADIAL | CPCC05R3900JE66.pdf | |
![]() | 40J1K1E | RES 1.1K OHM 10W 5% AXIAL | 40J1K1E.pdf | |
![]() | TLP320-F | TLP320-F TOSHIBA DIP4 | TLP320-F.pdf | |
![]() | 2220Y1K00472KCT | 2220Y1K00472KCT AVX DIP | 2220Y1K00472KCT.pdf | |
![]() | CXD8680R-C146E | CXD8680R-C146E SONY QFP | CXD8680R-C146E.pdf | |
![]() | TB31202FN1936 | TB31202FN1936 ORIGINAL SMD or Through Hole | TB31202FN1936.pdf | |
![]() | SM51C256K1660 | SM51C256K1660 SIL SOJ | SM51C256K1660.pdf | |
![]() | V05J4B48 | V05J4B48 TOSH SMD | V05J4B48.pdf |