창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C5V1W-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4W - BZX84C39W | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 60옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 125°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C5V1WDITR BZX84C5V1WTR BZX84C5V1WTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C5V1W-7 | |
관련 링크 | BZX84C5, BZX84C5V1W-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
9C08100034 | 8.192MHz ±50ppm 수정 16pF -20°C ~ 0°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C08100034.pdf | ||
405I35B18M43200 | 18.432MHz ±30ppm 수정 13pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 405I35B18M43200.pdf | ||
DS1000Z-30/TGR | DS1000Z-30/TGR DALLAS SOP8P | DS1000Z-30/TGR.pdf | ||
IS64WV10248BLL-10CTLA3 | IS64WV10248BLL-10CTLA3 ISSI TSOP44 | IS64WV10248BLL-10CTLA3.pdf | ||
TEDE9-701A | TEDE9-701A ORIGINAL SMD or Through Hole | TEDE9-701A.pdf | ||
UY05987-2 | UY05987-2 VLSI QFP | UY05987-2.pdf | ||
12CWQ-10FN | 12CWQ-10FN IR TO-252 | 12CWQ-10FN.pdf | ||
BEF51AWAI | BEF51AWAI ORIGINAL QFP | BEF51AWAI.pdf | ||
EPCS64SI16N LFP | EPCS64SI16N LFP ALTERA SOIC-16 | EPCS64SI16N LFP.pdf | ||
DQ7545-100M | DQ7545-100M Coev NA | DQ7545-100M.pdf | ||
GL064M11FFIS2 | GL064M11FFIS2 ORIGINAL BGA | GL064M11FFIS2.pdf | ||
LT1012ACJ8 | LT1012ACJ8 LT CDIP-8 | LT1012ACJ8.pdf |