창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C5V1T-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C10T-7-F | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
| 허용 오차 | ±5.88% | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 60옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-523 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C5V1T-7-F-ND BZX84C5V1T-7-FDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C5V1T-7-F | |
| 관련 링크 | BZX84C5V, BZX84C5V1T-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | CE201210-3N9J | 3.9nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 150 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | CE201210-3N9J.pdf | |
![]() | PE1008CX560JTT | PE1008CX560JTT PULSE SMD or Through Hole | PE1008CX560JTT.pdf | |
![]() | MAX232DR G4 | MAX232DR G4 TI SOIC-16 | MAX232DR G4.pdf | |
![]() | 1SS367(TPH3) | 1SS367(TPH3) TOSHIBA NA | 1SS367(TPH3).pdf | |
![]() | MB90671 | MB90671 FUJ PQFP | MB90671.pdf | |
![]() | AD3301A3.3 | AD3301A3.3 AD SOP8 | AD3301A3.3.pdf | |
![]() | SMSCQ2500-SOT143-CQ | SMSCQ2500-SOT143-CQ Aeroflex SMD or Through Hole | SMSCQ2500-SOT143-CQ.pdf | |
![]() | EDX1016BASE-4D-F | EDX1016BASE-4D-F ELPIDA FBGA | EDX1016BASE-4D-F.pdf | |
![]() | BYD11K | BYD11K Phi DIP | BYD11K.pdf | |
![]() | MDS1527URH | MDS1527URH MAG SOIC8 | MDS1527URH.pdf | |
![]() | L7824CV-Morocco | L7824CV-Morocco ST SMD or Through Hole | L7824CV-Morocco.pdf | |
![]() | XC3142-4PQ100C | XC3142-4PQ100C XILX QFP100 | XC3142-4PQ100C.pdf |