창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C5V1S-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1581 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 구성 | 2 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 60옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C5V1S-FDITR BZX84C5V1S7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C5V1S-7-F | |
| 관련 링크 | BZX84C5V, BZX84C5V1S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
| UMF1V100MDD1TP | 10µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UMF1V100MDD1TP.pdf | ||
![]() | UPT8R/TR7 | TVS DIODE 8VWM 13.7VC POWERMITE | UPT8R/TR7.pdf | |
![]() | SP1008-393K | 39µH Shielded Wirewound Inductor 146mA 5.3 Ohm Max Nonstandard | SP1008-393K.pdf | |
![]() | Y1625800R000Q0R | RES SMD 800 OHM 0.02% 0.3W 1206 | Y1625800R000Q0R.pdf | |
![]() | LTC2606IDD-1 | LTC2606IDD-1 LT QFN-10 | LTC2606IDD-1.pdf | |
![]() | MDB | MDB N/A 6SOT23 | MDB.pdf | |
![]() | Z8F082AQB020SG | Z8F082AQB020SG ZILOG QFN | Z8F082AQB020SG.pdf | |
![]() | HLB-100AP | HLB-100AP ZHONGXU SMD or Through Hole | HLB-100AP.pdf | |
![]() | CY7B991-JC | CY7B991-JC CY PLCC | CY7B991-JC.pdf | |
![]() | DSPIC30F6012A-20E/PT | DSPIC30F6012A-20E/PT Microchip SMD or Through Hole | DSPIC30F6012A-20E/PT.pdf | |
![]() | PS2251-39 | PS2251-39 PHISON SMD or Through Hole | PS2251-39.pdf |