창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C5V1S-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1581 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 구성 | 2 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 60옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C5V1S-FDITR BZX84C5V1S7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C5V1S-7-F | |
| 관련 링크 | BZX84C5V, BZX84C5V1S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 301S42E121JV4E | 120pF 300V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 301S42E121JV4E.pdf | |
![]() | 55195126-001 | CONN W/2 M CABLE ULTRASONIC DIS | 55195126-001.pdf | |
![]() | L501T01CD | L501T01CD N/A NA | L501T01CD.pdf | |
![]() | PT8A3519WE | PT8A3519WE PTC SOP-8 | PT8A3519WE.pdf | |
![]() | DAC8012GR | DAC8012GR AD DIP | DAC8012GR.pdf | |
![]() | 2SK3527 | 2SK3527 FUJI TO-3P | 2SK3527.pdf | |
![]() | MC74LVX374DWR2 | MC74LVX374DWR2 ON/FREESCALE SMD or Through Hole | MC74LVX374DWR2.pdf | |
![]() | ST6118TR | ST6118TR PULSE SMD or Through Hole | ST6118TR.pdf | |
![]() | MC33662LEFR2 | MC33662LEFR2 FREESCALE SMD or Through Hole | MC33662LEFR2.pdf | |
![]() | MT1389DE-M | MT1389DE-M MTK QFP | MT1389DE-M.pdf | |
![]() | UPR1H101MPH1TA | UPR1H101MPH1TA NICHICON SMD or Through Hole | UPR1H101MPH1TA.pdf | |
![]() | 7A08N-821K | 7A08N-821K SAGAMI SMD | 7A08N-821K.pdf |