창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C4V7T-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C10T-7-F | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-523 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C4V7T-7-F | |
| 관련 링크 | BZX84C4V, BZX84C4V7T-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | MKP1839410635R | 0.1µF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.335" Dia x 1.043" L (8.50mm x 26.50mm) | MKP1839410635R.pdf | |
![]() | P4KE68-B | TVS DIODE 58.1VWM 96.6VC AXIAL | P4KE68-B.pdf | |
![]() | 402F20033CJR | 20MHz ±30ppm 수정 9pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F20033CJR.pdf | |
![]() | 402F30733CDR | 30.72MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F30733CDR.pdf | |
![]() | 10220-22X0 | 10220-22X0 M SMD or Through Hole | 10220-22X0.pdf | |
![]() | HY5DU121622CTPD43 | HY5DU121622CTPD43 HYNIX SMD or Through Hole | HY5DU121622CTPD43.pdf | |
![]() | MAX806053320 | MAX806053320 MAXIM BGA | MAX806053320.pdf | |
![]() | R0K572167C010BR | R0K572167C010BR RENESAS SMD or Through Hole | R0K572167C010BR.pdf | |
![]() | MTP20P03 | MTP20P03 HAR MOS | MTP20P03.pdf | |
![]() | CSBLA700KJ58-B0 | CSBLA700KJ58-B0 MURATA SMD or Through Hole | CSBLA700KJ58-B0.pdf | |
![]() | 3B1X0D18P | 3B1X0D18P NEC DIP | 3B1X0D18P.pdf | |
![]() | LB M47C-Q1R2-35-1 | LB M47C-Q1R2-35-1 OSRAM LED | LB M47C-Q1R2-35-1.pdf |