창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C4V7S-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 구성 | 2 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C4V7SDITR BZX84C4V7STR BZX84C4V7STR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C4V7S-7 | |
| 관련 링크 | BZX84C4, BZX84C4V7S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | SIT9122AC-1D2-33E312.500000Y | OSC XO 3.3V 312.5MHZ OE | SIT9122AC-1D2-33E312.500000Y.pdf | |
![]() | EL357NA-VG | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP (2.54mm) | EL357NA-VG.pdf | |
![]() | AA1218FK-076K2L | RES SMD 6.2K OHM 1W 1812 WIDE | AA1218FK-076K2L.pdf | |
![]() | 1GG64203 | 1GG64203 Agilent SMD14 | 1GG64203.pdf | |
![]() | 16CV8-25 | 16CV8-25 ICT TSSOP | 16CV8-25.pdf | |
![]() | TAJE686K025R | TAJE686K025R AVX E | TAJE686K025R.pdf | |
![]() | LC1462CB3TR18 | LC1462CB3TR18 Leadchip SOT23-3 | LC1462CB3TR18.pdf | |
![]() | geFORCE3TM H | geFORCE3TM H nVIDIA BGA | geFORCE3TM H.pdf | |
![]() | MTD6N12T4G | MTD6N12T4G ON TO-252 | MTD6N12T4G.pdf | |
![]() | BCR553E6327 | BCR553E6327 INFINEON SOT23 | BCR553E6327.pdf | |
![]() | 761701020 | 761701020 Molex SMD or Through Hole | 761701020.pdf | |
![]() | LME49720MAX/NOPB | LME49720MAX/NOPB NS SOP-8 | LME49720MAX/NOPB.pdf |