창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C4V7S-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 구성 | 2 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C4V7SDITR BZX84C4V7STR BZX84C4V7STR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C4V7S-7 | |
| 관련 링크 | BZX84C4, BZX84C4V7S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | BZX55F5V6-TR | DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 | BZX55F5V6-TR.pdf | |
![]() | ERG-2SJ130 | RES 13 OHM 2W 5% AXIAL | ERG-2SJ130.pdf | |
![]() | CY6248DV30LL-70SXI | CY6248DV30LL-70SXI CypressSemiconduc SMD or Through Hole | CY6248DV30LL-70SXI.pdf | |
![]() | M4A3964810VC | M4A3964810VC NKK NULL | M4A3964810VC.pdf | |
![]() | HN-DGW10WDW | HN-DGW10WDW ORIGINAL SMD or Through Hole | HN-DGW10WDW.pdf | |
![]() | SS14-T/R | SS14-T/R ORIGINAL TE25 | SS14-T/R.pdf | |
![]() | S-80827CLNB-B6MT2G | S-80827CLNB-B6MT2G SEIKO SC-82AB | S-80827CLNB-B6MT2G.pdf | |
![]() | 74478622- | 74478622- WE SMD | 74478622-.pdf | |
![]() | EW5616C3Z-A3B | EW5616C3Z-A3B ESL SMD or Through Hole | EW5616C3Z-A3B.pdf | |
![]() | L-161TEEC | L-161TEEC KIBGBRIGHT ROHS | L-161TEEC.pdf | |
![]() | ADV478KP-35E | ADV478KP-35E AD PLCC | ADV478KP-35E.pdf | |
![]() | PBL3717N | PBL3717N ST DIP-16 | PBL3717N.pdf |