창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C4V3W-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4W - BZX84C39W | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1580 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
허용 오차 | ±7% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 125°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C4V3W-FDITR BZX84C4V3W7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C4V3W-7-F | |
관련 링크 | BZX84C4V, BZX84C4V3W-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
IKW15N120T2FKSA1 | IGBT 1200V 30A 235W TO247-3 | IKW15N120T2FKSA1.pdf | ||
BL112-09S-TAND | BL112-09S-TAND KINGLAI SMD or Through Hole | BL112-09S-TAND.pdf | ||
TS4984EIJT | TS4984EIJT STM Flip-Chip | TS4984EIJT.pdf | ||
746292-8 | 746292-8 TYCO con | 746292-8.pdf | ||
AFK337M25F24T | AFK337M25F24T CornellDub NA | AFK337M25F24T.pdf | ||
A1240APQ144I | A1240APQ144I ACTEL QFP | A1240APQ144I.pdf | ||
BPD-RQ09DY-A-FBR2.0-LC13.5 | BPD-RQ09DY-A-FBR2.0-LC13.5 BRIGHT ROHS | BPD-RQ09DY-A-FBR2.0-LC13.5.pdf | ||
U0S | U0S ORIGINAL SOT-323 | U0S.pdf | ||
B57321V2152H060 | B57321V2152H060 EPCOS SMD or Through Hole | B57321V2152H060.pdf | ||
KMKJS000VM-B309 | KMKJS000VM-B309 SAMSUNG FBGA | KMKJS000VM-B309.pdf | ||
HSC5094SN | HSC5094SN ORIGINAL SOT-323 | HSC5094SN.pdf | ||
MCH215RH820JK | MCH215RH820JK ROHM SMD or Through Hole | MCH215RH820JK.pdf |