창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C4V3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C 3V3 - BZX84C 33 Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
PCN 조립/원산지 | SOT23 Manufacturing Source 31/May2013 Assembly Site Addition 20/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
허용 오차 | ±7% | |
전력 - 최대 | 350mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C4V3-ND BZX84C4V3FSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C4V3 | |
관련 링크 | BZX84, BZX84C4V3 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 2510-74J | 120µH Unshielded Inductor 52mA 17 Ohm Max 2-SMD | 2510-74J.pdf | |
![]() | CR0805-JW-204ELF | RES SMD 200K OHM 5% 1/8W 0805 | CR0805-JW-204ELF.pdf | |
![]() | 4116R-1-182 | RES ARRAY 8 RES 1.8K OHM 16DIP | 4116R-1-182.pdf | |
![]() | ALSR01250R0JE12 | RES 250 OHM 1W 5% AXIAL | ALSR01250R0JE12.pdf | |
![]() | CW02BR1000JE12HS | RES 0.1 OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02BR1000JE12HS.pdf | |
![]() | 3152EIBZ | 3152EIBZ INTERSIL SOP-8 | 3152EIBZ.pdf | |
![]() | MKS4-224K630dc | MKS4-224K630dc WIMA() SMD or Through Hole | MKS4-224K630dc.pdf | |
![]() | ACTF480-1 | ACTF480-1 Advanced SMD or Through Hole | ACTF480-1.pdf | |
![]() | PD010-03 | PD010-03 EPITEX TO-18DIP-2 | PD010-03.pdf | |
![]() | 1210N180G101LT | 1210N180G101LT ORIGINAL SMD or Through Hole | 1210N180G101LT.pdf | |
![]() | ME50N06T | ME50N06T ORIGINAL SMD or Through Hole | ME50N06T.pdf | |
![]() | RJP3057DPK | RJP3057DPK RENESAS SMD or Through Hole | RJP3057DPK.pdf |