창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C3V9-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4 - BZX84C51 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C3V9-7DITR BZX84C3V9DITR BZX84C3V9DITR-ND BZX84C3V9T BZX84C3V9TR BZX84C3V9TR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C3V9-7 | |
| 관련 링크 | BZX84C, BZX84C3V9-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | IDT89KTPES4T4 | IDT89KTPES4T4 IDT DEVELOPMENTKIT | IDT89KTPES4T4.pdf | |
![]() | HCPL4506-000E AVAGO | HCPL4506-000E AVAGO ISSI SOT-4 | HCPL4506-000E AVAGO.pdf | |
![]() | M29W640GB70NA6E-NUMONYX | M29W640GB70NA6E-NUMONYX ORIGINAL SMD or Through Hole | M29W640GB70NA6E-NUMONYX.pdf | |
![]() | YX-T198 | YX-T198 ORIGINAL SMD or Through Hole | YX-T198.pdf | |
![]() | LM209AH | LM209AH NS CAN3 | LM209AH.pdf | |
![]() | K1723 | K1723 TOS SMD or Through Hole | K1723.pdf | |
![]() | SC418439MFU4 | SC418439MFU4 ORIGINAL QFP | SC418439MFU4.pdf | |
![]() | SKQUBAE010 | SKQUBAE010 ALPS SMD or Through Hole | SKQUBAE010.pdf | |
![]() | DSPB56309 | DSPB56309 MOTOROLA QFP | DSPB56309.pdf | |
![]() | R25XT-04J392 | R25XT-04J392 RHM SMD or Through Hole | R25XT-04J392.pdf | |
![]() | MS001-27V70-02 | MS001-27V70-02 Shilanwei SMD or Through Hole | MS001-27V70-02.pdf | |
![]() | FX10B-120P/12-SV(91) | FX10B-120P/12-SV(91) HRS SMD | FX10B-120P/12-SV(91).pdf |