창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C3V9-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4 - BZX84C51 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C3V9-7DITR BZX84C3V9DITR BZX84C3V9DITR-ND BZX84C3V9T BZX84C3V9TR BZX84C3V9TR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C3V9-7 | |
관련 링크 | BZX84C, BZX84C3V9-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | CM309E4000000BBKT | 4MHz ±50ppm 수정 20pF 150옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E4000000BBKT.pdf | |
![]() | 402F36022IJT | 36MHz ±20ppm 수정 9pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F36022IJT.pdf | |
![]() | CW010R1300JE12 | RES 0.13 OHM 13W 5% AXIAL | CW010R1300JE12.pdf | |
![]() | DSPIC33FJ33FJ64GS-606-I | DSPIC33FJ33FJ64GS-606-I MICROCHIP QFP | DSPIC33FJ33FJ64GS-606-I.pdf | |
![]() | hct367d | hct367d PHI SOP3.9 | hct367d.pdf | |
![]() | S-80831ANNP-EDV-T2 | S-80831ANNP-EDV-T2 SEIKO SC82AB | S-80831ANNP-EDV-T2.pdf | |
![]() | S-80831ANNP-EDV-T1 | S-80831ANNP-EDV-T1 SEIKO SOT343 | S-80831ANNP-EDV-T1.pdf | |
![]() | CS1608Y5V473Z500NR | CS1608Y5V473Z500NR SAMWHA SMD or Through Hole | CS1608Y5V473Z500NR.pdf | |
![]() | NAZK220M35V6.3X6.1NBF | NAZK220M35V6.3X6.1NBF NICCOMP SMD | NAZK220M35V6.3X6.1NBF.pdf | |
![]() | TL-5242 | TL-5242 TAD SMD or Through Hole | TL-5242.pdf | |
![]() | KY57V653220BTC-7 | KY57V653220BTC-7 ORIGINAL TSOP | KY57V653220BTC-7.pdf | |
![]() | S-8232AYET-T2 | S-8232AYET-T2 SII SMD or Through Hole | S-8232AYET-T2.pdf |