창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C3V3TS-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BCX84C2V4TS - BCX84C39TS | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
구성 | 3 독립형 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C3V3TS-7-F | |
관련 링크 | BZX84C3V3, BZX84C3V3TS-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
ABM8G-13.000MHZ-B4Y-T3 | 13MHz ±30ppm 수정 10pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8G-13.000MHZ-B4Y-T3.pdf | ||
CMF553K6100FKR6 | RES 3.61K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF553K6100FKR6.pdf | ||
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SY100EP56VK4ITR | SY100EP56VK4ITR MICREL SMD or Through Hole | SY100EP56VK4ITR.pdf | ||
TCC12 | TCC12 TI SOP | TCC12.pdf | ||
UMS2 N | UMS2 N ROHM SMD or Through Hole | UMS2 N.pdf | ||
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TCO711JT-22.1184 | TCO711JT-22.1184 TOY SMD or Through Hole | TCO711JT-22.1184.pdf | ||
208407-1 | 208407-1 AMPHENOL SMD or Through Hole | 208407-1.pdf | ||
A1221LLHLT_T | A1221LLHLT_T ALLEGROMICROSYSTE SMD or Through Hole | A1221LLHLT_T.pdf | ||
PE-65400NL | PE-65400NL Pulse DIP-6 | PE-65400NL.pdf |