창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C3V3S-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 구성 | 2 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C3V3SDITR BZX84C3V3STR BZX84C3V3STR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C3V3S-7 | |
| 관련 링크 | BZX84C3, BZX84C3V3S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 06031A1R6BAT2A | 1.6pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031A1R6BAT2A.pdf | |
![]() | RMCF0805FT18K0 | RES SMD 18K OHM 1% 1/8W 0805 | RMCF0805FT18K0.pdf | |
![]() | Y1485V0157BA9R | RES NETWORK 2 RES 4 OHM 1610 | Y1485V0157BA9R.pdf | |
![]() | CMZ5364B | CMZ5364B CENTRAL SMD or Through Hole | CMZ5364B.pdf | |
![]() | MM5Z6V2T1G | MM5Z6V2T1G ON SMD or Through Hole | MM5Z6V2T1G.pdf | |
![]() | 50P8SG | 50P8SG NEC STUD | 50P8SG.pdf | |
![]() | APL1117-25FC | APL1117-25FC ANPEC TO-220 | APL1117-25FC.pdf | |
![]() | KMF100VB22RM8X11.5LL | KMF100VB22RM8X11.5LL ORIGINAL SMD or Through Hole | KMF100VB22RM8X11.5LL.pdf | |
![]() | 37013150510 | 37013150510 LITTELFUSE DIP | 37013150510.pdf | |
![]() | FNS-120 | FNS-120 SYNERGY SMD or Through Hole | FNS-120.pdf | |
![]() | PIC9060SD | PIC9060SD ORIGINAL QFP | PIC9060SD.pdf | |
![]() | SG615PHB50.000MHZ | SG615PHB50.000MHZ EPS SMD or Through Hole | SG615PHB50.000MHZ.pdf |