창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C3V3-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4 - BZX84C51 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C3V3-FDITR BZX84C3V37F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C3V3-7-F | |
관련 링크 | BZX84C3, BZX84C3V3-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | 727C/PH829H02 | 727C/PH829H02 PHONESTAR DIP-30 | 727C/PH829H02.pdf | |
![]() | N2012Z221T02A0M | N2012Z221T02A0M TOMIN SMD or Through Hole | N2012Z221T02A0M.pdf | |
![]() | UPC451G2-E1 | UPC451G2-E1 NEC SOP14 | UPC451G2-E1.pdf | |
![]() | MB621144PF-G-BND | MB621144PF-G-BND FUJ QFP | MB621144PF-G-BND.pdf | |
![]() | PKGS-00LD1-R | PKGS-00LD1-R MURATA SMD or Through Hole | PKGS-00LD1-R.pdf | |
![]() | RL1C107M0811MBB343 | RL1C107M0811MBB343 SAMWHA SMD or Through Hole | RL1C107M0811MBB343.pdf | |
![]() | CB-2M7885-502P | CB-2M7885-502P ORIGINAL SMD or Through Hole | CB-2M7885-502P.pdf | |
![]() | 2CL53B/0.1 | 2CL53B/0.1 ORIGINAL 22 7 7 | 2CL53B/0.1.pdf | |
![]() | MRX012B05 | MRX012B05 ORIGINAL SMD | MRX012B05.pdf | |
![]() | MB90P678PFG | MB90P678PFG FUJITSU SMD or Through Hole | MB90P678PFG.pdf | |
![]() | 6R600C6 | 6R600C6 INFINEON TO-220 | 6R600C6.pdf | |
![]() | GC82454NX Q736ES | GC82454NX Q736ES INTEL BGA | GC82454NX Q736ES.pdf |