창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C3V0W-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4W - BZX84C39W | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
| 허용 오차 | ±7% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 125°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C3V0WDITR BZX84C3V0WTR BZX84C3V0WTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C3V0W-7 | |
| 관련 링크 | BZX84C3, BZX84C3V0W-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
|  | RU 1B | DIODE GEN PURP 800V 250MA AXIAL | RU 1B.pdf | |
|  | 2892562 | RELAY GEN PUR | 2892562.pdf | |
|  | 6862.5V10%S | 6862.5V10%S avetron 2011 | 6862.5V10%S.pdf | |
|  | IC61LV25616AT-10TL | IC61LV25616AT-10TL ISSI TSOP44 | IC61LV25616AT-10TL.pdf | |
|  | TH0202G1(f:1785-1805MHZ) | TH0202G1(f:1785-1805MHZ) ORIGINAL SMD or Through Hole | TH0202G1(f:1785-1805MHZ).pdf | |
|  | R1120N281B 2.8V 28xx | R1120N281B 2.8V 28xx RICOH SMD or Through Hole | R1120N281B 2.8V 28xx.pdf | |
|  | STLC3085AF | STLC3085AF ST QFP-44 | STLC3085AF.pdf | |
|  | EUP7965-28VIR1 | EUP7965-28VIR1 EUTECH SMD or Through Hole | EUP7965-28VIR1.pdf | |
|  | NC7S08L6X_F113 | NC7S08L6X_F113 FAIRCHILD SMD or Through Hole | NC7S08L6X_F113.pdf | |
|  | HFJ11-1G02E-L12RL | HFJ11-1G02E-L12RL HALO RJ45 | HFJ11-1G02E-L12RL.pdf | |
|  | NETPS1R103J440H5Q | NETPS1R103J440H5Q ORIGINAL 0603TEM | NETPS1R103J440H5Q.pdf | |
|  | KA79M08R | KA79M08R KEC TO-252 | KA79M08R.pdf |