창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C3V0S-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1580 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
구성 | 2 독립형 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C3V0S-FDITR BZX84C3V0S7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C3V0S-7-F | |
관련 링크 | BZX84C3V, BZX84C3V0S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | SDR7045-6R8M | 6.8µH Unshielded Wirewound Inductor 2.25A 54 mOhm Max Nonstandard | SDR7045-6R8M.pdf | |
![]() | SD20-R47-R | 470nH Shielded Wirewound Inductor 3.59A 20 mOhm Nonstandard | SD20-R47-R.pdf | |
![]() | RT0805BRC0714R3L | RES SMD 14.3 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRC0714R3L.pdf | |
![]() | TSA1204I | TSA1204I ST QFP-48 | TSA1204I.pdf | |
![]() | 8132-5PTO24P | 8132-5PTO24P M SMD or Through Hole | 8132-5PTO24P.pdf | |
![]() | 5788795-1 | 5788795-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 5788795-1.pdf | |
![]() | SE9305 | SE9305 AMD TO-3 | SE9305.pdf | |
![]() | 162.6185.420x | 162.6185.420x lfa SMD or Through Hole | 162.6185.420x.pdf | |
![]() | 030-2415-001 | 030-2415-001 CANNON SMD or Through Hole | 030-2415-001.pdf | |
![]() | G-103-A1 | G-103-A1 DYTCDM SOP28 | G-103-A1.pdf | |
![]() | EP9351 | EP9351 EXPLORE QFP64 | EP9351.pdf | |
![]() | BAS716,135 | BAS716,135 NXP SMD or Through Hole | BAS716,135.pdf |