창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C3V0S-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1580 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
구성 | 2 독립형 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C3V0S-FDITR BZX84C3V0S7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C3V0S-7-F | |
관련 링크 | BZX84C3V, BZX84C3V0S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | C0402C109C5GALTU | 1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C109C5GALTU.pdf | |
![]() | CHARGESMAMR404212120 | CHARGESMAMR404212120 RADIALL SMD or Through Hole | CHARGESMAMR404212120.pdf | |
![]() | RC0603FR-07100K | RC0603FR-07100K YAGEO SMD or Through Hole | RC0603FR-07100K.pdf | |
![]() | 219DDABU | 219DDABU ORIGINAL MSOP8 | 219DDABU.pdf | |
![]() | Z86T | Z86T SC QFN | Z86T.pdf | |
![]() | MBCG24692-4602PF-G | MBCG24692-4602PF-G FUJ QFP | MBCG24692-4602PF-G.pdf | |
![]() | LQW2BHR12G01L | LQW2BHR12G01L ORIGINAL SMD or Through Hole | LQW2BHR12G01L.pdf | |
![]() | M402M2-2805R | M402M2-2805R NICHONIC NULL | M402M2-2805R.pdf | |
![]() | PDTB123Y | PDTB123Y PHILIPS TO-92 | PDTB123Y.pdf | |
![]() | TC58128ATG | TC58128ATG TOSHIBA TSOP | TC58128ATG.pdf | |
![]() | 2A9N | 2A9N ORIGINAL DO-15 | 2A9N.pdf | |
![]() | AD7477ART-REEL7 | AD7477ART-REEL7 AD SMD or Through Hole | AD7477ART-REEL7.pdf |