창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C36T-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C10T-7-F | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 25.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-523 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C36T-7-F | |
| 관련 링크 | BZX84C3, BZX84C36T-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | CL21A226MAQNNNE | 22µF 25V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21A226MAQNNNE.pdf | |
![]() | CL21C010CBANNNC | 1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21C010CBANNNC.pdf | |
![]() | VJ0805D430KLXAC | 43pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D430KLXAC.pdf | |
![]() | 416F32033CLT | 32MHz ±30ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32033CLT.pdf | |
![]() | NHQ223B400T5 | NTC Thermistor 22k 1206 (3216 Metric) | NHQ223B400T5.pdf | |
![]() | ADS125 | ADS125 BB SOP | ADS125.pdf | |
![]() | D8LC20 | D8LC20 SHINDEN TO220F | D8LC20.pdf | |
![]() | MBRBI545CT | MBRBI545CT ON SMD or Through Hole | MBRBI545CT.pdf | |
![]() | IDT6116AS70C | IDT6116AS70C IDT CuDIP24 | IDT6116AS70C.pdf | |
![]() | Q5327I-1S2 | Q5327I-1S2 QUALCOMM SMD or Through Hole | Q5327I-1S2.pdf | |
![]() | R13-548AL-05-BRR | R13-548AL-05-BRR SHINCHIN/WSI SMD or Through Hole | R13-548AL-05-BRR.pdf | |
![]() | MCC95-18 | MCC95-18 FUJI SMD or Through Hole | MCC95-18.pdf |