창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C36S-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 구성 | 2 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 25.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C36SDITR BZX84C36STR BZX84C36STR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C36S-7 | |
| 관련 링크 | BZX84C, BZX84C36S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 170M2662 | FUSE SQ 63A 700VAC RECTANGULAR | 170M2662.pdf | |
![]() | TS11DF33IDT | 11.2896MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS11DF33IDT.pdf | |
![]() | 402F20011CDR | 20MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F20011CDR.pdf | |
| VS-81CNQ045ASLPBF | DIODE SCHOTTKY 45V 40A D618SL | VS-81CNQ045ASLPBF.pdf | ||
![]() | BF245A | BF245A PHI TO92 | BF245A.pdf | |
![]() | DAN235E-M | DAN235E-M ORIGINAL SOT-523 | DAN235E-M.pdf | |
![]() | OP406G | OP406G AD SO14 | OP406G.pdf | |
![]() | EN25B32T-75QCP | EN25B32T-75QCP EON DIP8 | EN25B32T-75QCP.pdf | |
![]() | IHW25N1202 | IHW25N1202 INFINEON TO-3P | IHW25N1202.pdf | |
![]() | ASP-100485-04 | ASP-100485-04 SAMTEC SMD or Through Hole | ASP-100485-04.pdf | |
![]() | OPA1232PA | OPA1232PA BB DIP-8 | OPA1232PA.pdf | |
![]() | LTE-1653K | LTE-1653K LITEON ROHS | LTE-1653K.pdf |