창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C36S-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1581 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 구성 | 2 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 25.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C36S-FDITR BZX84C36S7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C36S-7-F | |
| 관련 링크 | BZX84C3, BZX84C36S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385256040JB02G0 | 5600pF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | MKP385256040JB02G0.pdf | |
![]() | RNCF0402CTE100K | RES SMD 100KOHM 0.25% 1/16W 0402 | RNCF0402CTE100K.pdf | |
![]() | AVH150-48S12 | AVH150-48S12 AVANSYS SMD or Through Hole | AVH150-48S12.pdf | |
![]() | SSM1333GU | SSM1333GU Silicon SMD or Through Hole | SSM1333GU.pdf | |
![]() | 35SS560MLC6.3X7.7EC | 35SS560MLC6.3X7.7EC ORIGINAL SMD or Through Hole | 35SS560MLC6.3X7.7EC.pdf | |
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![]() | UPD754304GS-030(MS) | UPD754304GS-030(MS) NEC SOP36M | UPD754304GS-030(MS).pdf | |
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![]() | XG5M-6032-N | XG5M-6032-N OMRON/WSI SMD or Through Hole | XG5M-6032-N.pdf | |
![]() | TM55DZ-24(2H) | TM55DZ-24(2H) ORIGINAL SMD or Through Hole | TM55DZ-24(2H).pdf | |
![]() | YYCLED-RG-01 | YYCLED-RG-01 YYC SMD or Through Hole | YYCLED-RG-01.pdf |