창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C30-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4 - BZX84C51 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
| PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
| 허용 오차 | ±7% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 21V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C30-FDITR BZX84C307F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C30-7-F | |
| 관련 링크 | BZX84C3, BZX84C30-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
| SI8410DB-T2-E1 | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT | SI8410DB-T2-E1.pdf | ||
![]() | EM3587-MLR-AN-C | RF TXRX MODULE 802.15.4 CHIP ANT | EM3587-MLR-AN-C.pdf | |
![]() | AM9102APC | AM9102APC AMD DIP-16 | AM9102APC.pdf | |
![]() | HSM88WATR TEL:82766440 | HSM88WATR TEL:82766440 HITACHI SOT-23 | HSM88WATR TEL:82766440.pdf | |
![]() | SDT0300SB | SDT0300SB NSMICRO SMB | SDT0300SB.pdf | |
![]() | M5278L05M / MA | M5278L05M / MA ORIGINAL 89-8 | M5278L05M / MA.pdf | |
![]() | BSD1999XR1 | BSD1999XR1 ORIGINAL DIP-18L | BSD1999XR1.pdf | |
![]() | MEB20C6 | MEB20C6 HITACHI SMD or Through Hole | MEB20C6.pdf | |
![]() | TRM-24D-SC-SH-N | TRM-24D-SC-SH-N TTI SMD or Through Hole | TRM-24D-SC-SH-N.pdf | |
![]() | STK621-320 | STK621-320 SANYO SMD or Through Hole | STK621-320.pdf | |
![]() | 74LVT16245BDGGRE4 | 74LVT16245BDGGRE4 TI SMD or Through Hole | 74LVT16245BDGGRE4.pdf |