창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C2V7T-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C10T-7-F | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.7V | |
| 허용 오차 | ±7.41% | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-523 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C2V7T-7-F-ND BZX84C2V7T-7-FDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C2V7T-7-F | |
| 관련 링크 | BZX84C2V, BZX84C2V7T-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 402F32011CAR | 32MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F32011CAR.pdf | |
![]() | RC2512FK-0756KL | RES SMD 56K OHM 1% 1W 2512 | RC2512FK-0756KL.pdf | |
![]() | MTC-20277PQ-C/C277-OCF | MTC-20277PQ-C/C277-OCF ALCATEL QFP-44P | MTC-20277PQ-C/C277-OCF.pdf | |
![]() | MS868C12 | MS868C12 FUJI TFP | MS868C12.pdf | |
![]() | UFS150Ge3/TR13 | UFS150Ge3/TR13 Microsemi DO-215AA | UFS150Ge3/TR13.pdf | |
![]() | R125L | R125L NPE SMD | R125L.pdf | |
![]() | MPF39VF10904C | MPF39VF10904C SST TSOP1 | MPF39VF10904C.pdf | |
![]() | 896H-1AH-D1-R1-12VDC | 896H-1AH-D1-R1-12VDC SONGCHUAN SMD or Through Hole | 896H-1AH-D1-R1-12VDC.pdf | |
![]() | BC847B-PHI | BC847B-PHI ORIGINAL SMD or Through Hole | BC847B-PHI.pdf | |
![]() | BCM56503LB2KEBG P33 | BCM56503LB2KEBG P33 BROADCOM SMD or Through Hole | BCM56503LB2KEBG P33.pdf | |
![]() | ESME350ETD221MJC5S | ESME350ETD221MJC5S Chemi-con NA | ESME350ETD221MJC5S.pdf | |
![]() | JC73R28 | JC73R28 JICHI SMD or Through Hole | JC73R28.pdf |