창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C2V7T-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C10T-7-F | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.7V | |
| 허용 오차 | ±7.41% | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-523 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C2V7T-7-F-ND BZX84C2V7T-7-FDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C2V7T-7-F | |
| 관련 링크 | BZX84C2V, BZX84C2V7T-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | MR065C105JAATR1 | 1µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.290" L x 0.090" W(7.36mm x 2.28mm) | MR065C105JAATR1.pdf | |
![]() | CX3225GB38400D0HPQZ1 | 38.4MHz ±20ppm 수정 8pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225GB38400D0HPQZ1.pdf | |
![]() | 4310R-101-273 | RES ARRAY 9 RES 27K OHM 10SIP | 4310R-101-273.pdf | |
![]() | U184508A | U184508A AMI PLCC | U184508A.pdf | |
![]() | 70001F | 70001F SIEMENS QFP | 70001F.pdf | |
![]() | LM627BCN | LM627BCN NSC DIP | LM627BCN.pdf | |
![]() | ADE-2ASK | ADE-2ASK MINI-CIRCUITS SMD or Through Hole | ADE-2ASK.pdf | |
![]() | PESD5V0L6US118 | PESD5V0L6US118 NXP SMD or Through Hole | PESD5V0L6US118.pdf | |
![]() | SS6642-27GXTR | SS6642-27GXTR Silicon SOT89-3 | SS6642-27GXTR.pdf | |
![]() | NJM5535L | NJM5535L JRC SMD or Through Hole | NJM5535L.pdf | |
![]() | H27 | H27 ROHM SOT23 | H27.pdf | |
![]() | SSM3K01TT | SSM3K01TT TOSHIBA SMD or Through Hole | SSM3K01TT.pdf |