창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C27W-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4W - BZX84C39W | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
| 허용 오차 | ±7% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 18.9V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 125°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C27WDITR BZX84C27WTR BZX84C27WTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C27W-7 | |
| 관련 링크 | BZX84C, BZX84C27W-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D360KXPAP | 36pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D360KXPAP.pdf | |
![]() | CMF556K2600FKEB | RES 6.26K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF556K2600FKEB.pdf | |
![]() | 3210089 | 3210089 UNITEDSHEETMETAL SMD or Through Hole | 3210089.pdf | |
![]() | GRM32E61R1E226KE15 | GRM32E61R1E226KE15 MURATA 1210 | GRM32E61R1E226KE15.pdf | |
![]() | K4J52324QE-BC08 | K4J52324QE-BC08 SAMSUNG BGA | K4J52324QE-BC08.pdf | |
![]() | TDZ5.6--TR | TDZ5.6--TR ROHM SMD or Through Hole | TDZ5.6--TR.pdf | |
![]() | SY3-1V225M-RB | SY3-1V225M-RB ELNA SMD | SY3-1V225M-RB.pdf | |
![]() | 1254AD | 1254AD EVERLIGHT SMD or Through Hole | 1254AD.pdf | |
![]() | MB81C4256A-60PSZ | MB81C4256A-60PSZ FUJ ZIP | MB81C4256A-60PSZ.pdf | |
![]() | SMBG51Ce3/TR13 | SMBG51Ce3/TR13 Microsemi DO-215AA | SMBG51Ce3/TR13.pdf | |
![]() | A3PN250-ZVQG100 500 | A3PN250-ZVQG100 500 ACTEL SMD or Through Hole | A3PN250-ZVQG100 500.pdf | |
![]() | 3352H-1-103 | 3352H-1-103 bourns DIP | 3352H-1-103.pdf |