창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C22-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4 - BZX84C51 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
| PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 22V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 55옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 15.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C22-FDITR BZX84C227F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C22-7-F | |
| 관련 링크 | BZX84C2, BZX84C22-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | AF122-FR-0725R5L | RES ARRAY 2 RES 25.5 OHM 0404 | AF122-FR-0725R5L.pdf | |
![]() | D02197216 | RESISTIVE & OPTICAL RIVET OVAL | D02197216.pdf | |
![]() | R3S-10V330ME0 | R3S-10V330ME0 ELNA SMD or Through Hole | R3S-10V330ME0.pdf | |
![]() | T1500N | T1500N INFINEON MODULE | T1500N.pdf | |
![]() | MAX985EUK+T | MAX985EUK+T MAXIM SOT23-5 | MAX985EUK+T.pdf | |
![]() | H2162 | H2162 N/A PLCC | H2162.pdf | |
![]() | 2DH14B | 2DH14B ORIGINAL CAN | 2DH14B.pdf | |
![]() | IRF75N05 | IRF75N05 ORIGINAL TO-3P | IRF75N05.pdf | |
![]() | LNSV20F103H | LNSV20F103H lat SMD or Through Hole | LNSV20F103H.pdf | |
![]() | SLS-YGUR302TM | SLS-YGUR302TM SAMSUNG SMD or Through Hole | SLS-YGUR302TM.pdf | |
![]() | X28C16BDMB | X28C16BDMB XICINTER CDIP | X28C16BDMB.pdf | |
![]() | ES300C | ES300C ORIGINAL SMD or Through Hole | ES300C.pdf |