창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C18S-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1581 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
구성 | 2 독립형 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 45옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 12.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C18S-FDITR BZX84C18S7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C18S-7-F | |
관련 링크 | BZX84C1, BZX84C18S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | M0820-24K | 1µH Unshielded Inductor 418mA 270 mOhm Max Nonstandard | M0820-24K.pdf | |
![]() | NPR2T751J | NPR2T751J KOA SMD or Through Hole | NPR2T751J.pdf | |
![]() | M5247L | M5247L MIT ZIP | M5247L.pdf | |
![]() | FS20SM_12 | FS20SM_12 ORIGINAL T0 3P | FS20SM_12.pdf | |
![]() | JK0-0020NL | JK0-0020NL PULSE RJ45 | JK0-0020NL.pdf | |
![]() | A1907/C5099 | A1907/C5099 Sanken TO-3PF | A1907/C5099.pdf | |
![]() | 1W 12V=4742 | 1W 12V=4742 ST SMD or Through Hole | 1W 12V=4742.pdf | |
![]() | TC74ACT240F (EL) | TC74ACT240F (EL) TOSHIBA SOP5.2 | TC74ACT240F (EL).pdf | |
![]() | 2SB799-T1/CK | 2SB799-T1/CK NEC SOT-89 | 2SB799-T1/CK.pdf | |
![]() | P89C660HBBD-T | P89C660HBBD-T phillips LQFP44 | P89C660HBBD-T.pdf | |
![]() | GJM1555C1H3R3WB01D+A01 | GJM1555C1H3R3WB01D+A01 ORIGINAL SMD or Through Hole | GJM1555C1H3R3WB01D+A01.pdf | |
![]() | CXG1092N | CXG1092N SONY SSOP | CXG1092N.pdf |