창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C13S-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1581 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
구성 | 2 독립형 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 13V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C13S-FDITR BZX84C13S7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C13S-7-F | |
관련 링크 | BZX84C1, BZX84C13S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
CL31C8R2CBCNNNC | 8.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CL31C8R2CBCNNNC.pdf | ||
416F271XXATT | 27.12MHz ±15ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F271XXATT.pdf | ||
SIT8225AC-22-33E-25.000000T | OSC XO 3.3V 25MHZ OE | SIT8225AC-22-33E-25.000000T.pdf | ||
PWR220-2FB7R50J | PWR220-2FB7R50J BOURNS SMD or Through Hole | PWR220-2FB7R50J.pdf | ||
MEC50U01G4 | MEC50U01G4 MOT SMD or Through Hole | MEC50U01G4.pdf | ||
XN1501-(TX) | XN1501-(TX) PANAsonic SOT-153 | XN1501-(TX).pdf | ||
DS1232LPS+ | DS1232LPS+ DALLAS ORIGINAL | DS1232LPS+.pdf | ||
LT2931 | LT2931 LT SOP | LT2931.pdf | ||
266-TB | 266-TB THOMAS&BETTS SMD or Through Hole | 266-TB.pdf | ||
76763-9001 | 76763-9001 MOLEX SMD or Through Hole | 76763-9001.pdf | ||
G4AT B203M 5X5 20K | G4AT B203M 5X5 20K TOCOS SMD or Through Hole | G4AT B203M 5X5 20K.pdf | ||
DG508DJ | DG508DJ INTERSIL DIP-16 | DG508DJ.pdf |