창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C12S-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1581 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
구성 | 2 독립형 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 25옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C12S-FDITR BZX84C12S7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C12S-7-F | |
관련 링크 | BZX84C1, BZX84C12S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
C0805C102JDRAC7800 | 1000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C102JDRAC7800.pdf | ||
MMBZ5259B-7-F | DIODE ZENER 39V 350MW SOT23-3 | MMBZ5259B-7-F.pdf | ||
FR9N20 | FR9N20 IR SMD or Through Hole | FR9N20.pdf | ||
16ZL2700M12.5X30 | 16ZL2700M12.5X30 Rubycon DIP-2 | 16ZL2700M12.5X30.pdf | ||
AR0401-5001 | AR0401-5001 SANXIN PQFP | AR0401-5001.pdf | ||
5029MP C1 | 5029MP C1 FUJ QFN | 5029MP C1.pdf | ||
LD W5SM-1S2T-35 | LD W5SM-1S2T-35 OSRAM SMD-LED | LD W5SM-1S2T-35.pdf | ||
D11A6 | D11A6 NEC SMD or Through Hole | D11A6.pdf | ||
YT1064760FP | YT1064760FP C&K/ITT SMD or Through Hole | YT1064760FP.pdf | ||
RG82845MP SL66T | RG82845MP SL66T INTEL SMD or Through Hole | RG82845MP SL66T.pdf | ||
TMDSEVM6467 | TMDSEVM6467 TI NA | TMDSEVM6467.pdf | ||
DS1848E-050TR | DS1848E-050TR DALLAS TSSOP14 | DS1848E-050TR.pdf |