창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C11S-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 구성 | 2 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C11SDITR BZX84C11STR BZX84C11STR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C11S-7 | |
| 관련 링크 | BZX84C, BZX84C11S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | MTC-20136MB-I | MTC-20136MB-I ALCATEL BGA | MTC-20136MB-I.pdf | |
![]() | NSD10-12D12 | NSD10-12D12 Meanwell SMD or Through Hole | NSD10-12D12.pdf | |
![]() | NTH5G16PA45A224E07 | NTH5G16PA45A224E07 muRata 1608 | NTH5G16PA45A224E07.pdf | |
![]() | EPM9320LC84-15* | EPM9320LC84-15* ALT PLCC-84 | EPM9320LC84-15*.pdf | |
![]() | DLW31SN102SQ2B | DLW31SN102SQ2B MUR SMD | DLW31SN102SQ2B.pdf | |
![]() | M3764A-5 | M3764A-5 OKI DIP16 | M3764A-5.pdf | |
![]() | SN74LS244BN | SN74LS244BN TI DIP | SN74LS244BN.pdf | |
![]() | NB1-DC5V | NB1-DC5V NAIS SMD or Through Hole | NB1-DC5V.pdf | |
![]() | SI719910AEDN-T1 | SI719910AEDN-T1 VISHAY QFN | SI719910AEDN-T1.pdf | |
![]() | ASPI1204100MT | ASPI1204100MT ARLITECH SMD or Through Hole | ASPI1204100MT.pdf |