창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C11S-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 구성 | 2 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C11SDITR BZX84C11STR BZX84C11STR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C11S-7 | |
| 관련 링크 | BZX84C, BZX84C11S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 80D562P016JA2DE3 | 5600µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C | 80D562P016JA2DE3.pdf | |
![]() | 73L5R20F | RES SMD 0.2 OHM 1% 1/2W 1210 | 73L5R20F.pdf | |
![]() | TMP102AQDRLRQ1 | SENSOR TEMP I2C/SMBUS SOT6 | TMP102AQDRLRQ1.pdf | |
![]() | TG2200FTE12L | TG2200FTE12L TOSHIBA SMD or Through Hole | TG2200FTE12L.pdf | |
![]() | 39SF12 | 39SF12 SST PLCC | 39SF12.pdf | |
![]() | ADM3202EARNZ | ADM3202EARNZ AD SOP-16 | ADM3202EARNZ.pdf | |
![]() | 24LC512-E/P | 24LC512-E/P MIRO DIP-8 | 24LC512-E/P.pdf | |
![]() | DS75176MX-05+ | DS75176MX-05+ NS SOP-8 | DS75176MX-05+.pdf | |
![]() | SC79139DWR2(1821-0 | SC79139DWR2(1821-0 MOT SOIC-201K | SC79139DWR2(1821-0.pdf | |
![]() | PV32R251A01 | PV32R251A01 muRata DIP | PV32R251A01.pdf | |
![]() | TLC03WIDR | TLC03WIDR ORIGINAL SMD or Through Hole | TLC03WIDR.pdf | |
![]() | AS0242-6642 | AS0242-6642 CRYDOM ZIP4 | AS0242-6642.pdf |