창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C10T-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C10T-7-F | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| 카탈로그 페이지 | 1581 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 200nA @ 7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-523 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C10T-FDITR BZX84C10T-FTR BZX84C10T-FTR-ND BZX84C10T7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C10T-7-F | |
| 관련 링크 | BZX84C1, BZX84C10T-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | C503C-WAS | C503C-WAS CREE ROHS | C503C-WAS.pdf | |
![]() | SMMJ40TR-13 | SMMJ40TR-13 Microsemi DO-214ABSMC | SMMJ40TR-13.pdf | |
![]() | S4320TS | S4320TS MSC STUD | S4320TS.pdf | |
![]() | FED20-12S05 | FED20-12S05 P-DUKE SMD or Through Hole | FED20-12S05.pdf | |
![]() | K4B1G0446D-HCH9 | K4B1G0446D-HCH9 SAMSUNG BGA | K4B1G0446D-HCH9.pdf | |
![]() | RTA02-4C/33R | RTA02-4C/33R ORIGINAL SMD | RTA02-4C/33R.pdf | |
![]() | MT7682 | MT7682 M SMD or Through Hole | MT7682.pdf | |
![]() | 33GF120 | 33GF120 APT TO-3P | 33GF120.pdf | |
![]() | BT131-800D,412 | BT131-800D,412 NXP SMD or Through Hole | BT131-800D,412.pdf | |
![]() | SWB2270 | SWB2270 ORIGINAL SMD or Through Hole | SWB2270.pdf | |
![]() | SMP9634LF | SMP9634LF SIGMADES BGA | SMP9634LF.pdf | |
![]() | DSV753SK | DSV753SK KDS SMD | DSV753SK.pdf |