창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C10 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C 3V3 - BZX84C 33 Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
| PCN 조립/원산지 | SOT23 Manufacturing Source 31/May2013 Assembly Site Addition 20/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1607 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 200nA @ 7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C10-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C10 | |
| 관련 링크 | BZX8, BZX84C10 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RT2010DKE07237RL | RES SMD 237 OHM 0.5% 1/2W 2010 | RT2010DKE07237RL.pdf | |
![]() | CY-122A-P | SENSOR PHOTO PNP 600MM 12-24V | CY-122A-P.pdf | |
![]() | 641126-3 3PIN | 641126-3 3PIN AMP SMD or Through Hole | 641126-3 3PIN.pdf | |
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![]() | UPD79F0093FH | UPD79F0093FH NEC SMD | UPD79F0093FH.pdf | |
![]() | MC2257L | MC2257L MOTOROLA SMD or Through Hole | MC2257L.pdf | |
![]() | JV1F-5V | JV1F-5V NAIS SMD or Through Hole | JV1F-5V.pdf | |
![]() | 2SD1922-E | 2SD1922-E HITACHI TO-92L | 2SD1922-E.pdf | |
![]() | 55604-4470 | 55604-4470 MOLEX SMD or Through Hole | 55604-4470.pdf | |
![]() | K6X1008C2D-UF55 | K6X1008C2D-UF55 SAMSUNG tSOP | K6X1008C2D-UF55.pdf | |
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