창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84B8V2-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84B3V0 - BZX84B39 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 700nA @ 5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84B8V2-7-FDI BZX84B8V2-7-FDI-ND BZX84B8V2-7-FDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84B8V2-7-F | |
관련 링크 | BZX84B8, BZX84B8V2-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | DSC1001BI2-031.2500T | 31.25MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 7.2mA Standby (Power Down) | DSC1001BI2-031.2500T.pdf | |
![]() | RP73D2A71K5BTG | RES SMD 71.5K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A71K5BTG.pdf | |
![]() | RI23110P | RI23110P ORIGINAL SMD or Through Hole | RI23110P.pdf | |
![]() | BA07CC0 | BA07CC0 ROHM NA | BA07CC0.pdf | |
![]() | 1SS367/S4 | 1SS367/S4 TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SS367/S4.pdf | |
![]() | MVT212019 CX | MVT212019 CX MITEL BGA | MVT212019 CX.pdf | |
![]() | TD62583F(EL) | TD62583F(EL) ORIGINAL SMD or Through Hole | TD62583F(EL).pdf | |
![]() | DD5035 | DD5035 Honeywell SMD or Through Hole | DD5035.pdf | |
![]() | LTC2657CUFD-L16 | LTC2657CUFD-L16 LT SMD or Through Hole | LTC2657CUFD-L16.pdf | |
![]() | PS2901-1-F3-A | PS2901-1-F3-A NEC SOP4 | PS2901-1-F3-A.pdf | |
![]() | UMW0G101MDD1TD | UMW0G101MDD1TD NICHICON DIP | UMW0G101MDD1TD.pdf |