창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84B75-HE3-08 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84 Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 75V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 255옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 52.5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84B75-HE3-08 | |
관련 링크 | BZX84B75-, BZX84B75-HE3-08 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 416F32022CAT | 32MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32022CAT.pdf | |
![]() | TMP8893CPBNG6PJ5 | TMP8893CPBNG6PJ5 TOSHIBA DIP64 | TMP8893CPBNG6PJ5.pdf | |
![]() | ICL3222ECV-T | ICL3222ECV-T INTERSIL SOP | ICL3222ECV-T.pdf | |
![]() | AT25020N-SI | AT25020N-SI ATMEL SOP-8 | AT25020N-SI.pdf | |
![]() | PSMN063150D | PSMN063150D N/A TO-252 | PSMN063150D.pdf | |
![]() | SGM809-LXN3L/TR 809 | SGM809-LXN3L/TR 809 SGMICRO SMD or Through Hole | SGM809-LXN3L/TR 809.pdf | |
![]() | ADP2109 | ADP2109 ADI WLCSP-5 | ADP2109.pdf | |
![]() | 2.457M | 2.457M KSS DIP-8 | 2.457M.pdf | |
![]() | BL-HGE34E-TRB | BL-HGE34E-TRB BRIGHTLED SMD or Through Hole | BL-HGE34E-TRB.pdf | |
![]() | WPM4054-5/TR | WPM4054-5/TR WILL SMD | WPM4054-5/TR.pdf | |
![]() | FR106 DC T/B | FR106 DC T/B ORIGINAL DIP | FR106 DC T/B.pdf |