창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84B6V8LT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84(B,C)xzxLT1G, SZBZX84(B,C)xzxLT1G | |
PCN 설계/사양 | Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire 08/Jun/2009 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84B6V8LT1GOS BZX84B6V8LT1GOS-ND BZX84B6V8LT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84B6V8LT1G | |
관련 링크 | BZX84B6, BZX84B6V8LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
AA-20.000MAHE-T | 20MHz ±30ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | AA-20.000MAHE-T.pdf | ||
![]() | ERA-8ARW5491V | RES SMD 5.49KOHM 0.05% 1/4W 1206 | ERA-8ARW5491V.pdf | |
![]() | MSM75V028GS-BK-7 | MSM75V028GS-BK-7 OKI QFP | MSM75V028GS-BK-7.pdf | |
![]() | M34302M8-6125P | M34302M8-6125P ORIGINAL DIP | M34302M8-6125P.pdf | |
![]() | CY7C09279V | CY7C09279V CYPRESS QFP | CY7C09279V.pdf | |
![]() | 1008F-4R7J-LFR | 1008F-4R7J-LFR ORIGINAL SMD or Through Hole | 1008F-4R7J-LFR.pdf | |
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![]() | m5-06-92 | m5-06-92 ORIGINAL SMD or Through Hole | m5-06-92.pdf | |
![]() | N760049CFKC251 | N760049CFKC251 MOT PLCC52 | N760049CFKC251.pdf | |
![]() | 62LV256-70T | 62LV256-70T ISSI TSOP | 62LV256-70T.pdf |