창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84B6V2LT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84(B,C)xzxLT1G, SZBZX84(B,C)xzxLT1G | |
PCN 설계/사양 | Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire 08/Jun/2009 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84B6V2LT1GOS BZX84B6V2LT1GOS-ND BZX84B6V2LT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84B6V2LT1G | |
관련 링크 | BZX84B6, BZX84B6V2LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | DSC1001CL5-016.3840T | 16.384MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001CL5-016.3840T.pdf | |
![]() | RC14KB2R20 | RES 2.2 OHM 1/4W 10% AXIAL | RC14KB2R20.pdf | |
![]() | RTO050F10001JTE1 | RES 10K OHM 50W 5% TO220 | RTO050F10001JTE1.pdf | |
![]() | AMS813LESA | AMS813LESA AMS SOP | AMS813LESA.pdf | |
![]() | TLC4545IDGKR | TLC4545IDGKR TI SMD or Through Hole | TLC4545IDGKR.pdf | |
![]() | OSE-PHILS/SOPW20L-B | OSE-PHILS/SOPW20L-B TRIPATH SOP-20 | OSE-PHILS/SOPW20L-B.pdf | |
![]() | 90650-0013 | 90650-0013 MOLEX SMD or Through Hole | 90650-0013.pdf | |
![]() | MT46H8M32LFB5-5/MT46H8M32LFB5-6 | MT46H8M32LFB5-5/MT46H8M32LFB5-6 MICRON VFBGA-90 | MT46H8M32LFB5-5/MT46H8M32LFB5-6.pdf | |
![]() | MT36VDDT51272Y-335A2 | MT36VDDT51272Y-335A2 MICRON original | MT36VDDT51272Y-335A2.pdf | |
![]() | PT6024 | PT6024 ORIGINAL SMD or Through Hole | PT6024.pdf | |
![]() | EEJ-L1CC336R | EEJ-L1CC336R PANA SMD or Through Hole | EEJ-L1CC336R.pdf |