창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84B5V6-E3-08 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84 Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84B5V6-E3-08 | |
| 관련 링크 | BZX84B5V6, BZX84B5V6-E3-08 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
| DFE10I600PM | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP | DFE10I600PM.pdf | ||
![]() | AM28F010/A-90FC/95FC | AM28F010/A-90FC/95FC MEMORY SMD | AM28F010/A-90FC/95FC.pdf | |
![]() | K9PFGD8U5M | K9PFGD8U5M SAMSUNG LGA | K9PFGD8U5M.pdf | |
![]() | 615602263 | 615602263 ORIGINAL SMD or Through Hole | 615602263.pdf | |
![]() | 324915 | 324915 AMP SMD or Through Hole | 324915.pdf | |
![]() | AS1306 | AS1306 ANISEM SOT89-5 | AS1306.pdf | |
![]() | MR651X104KRAVTR1 | MR651X104KRAVTR1 AVX SMD or Through Hole | MR651X104KRAVTR1.pdf | |
![]() | STAC9228D5T48E-CA2 | STAC9228D5T48E-CA2 SIGMATEL QFP48 | STAC9228D5T48E-CA2.pdf | |
![]() | SNABT16245ADGGR | SNABT16245ADGGR TI SOP | SNABT16245ADGGR.pdf | |
![]() | FA1L3Z-T2(L38) | FA1L3Z-T2(L38) NEC SOT-23 | FA1L3Z-T2(L38).pdf | |
![]() | 1111069 | 1111069 PMI DIP14 | 1111069.pdf | |
![]() | T93YB200R10%TUE3 | T93YB200R10%TUE3 VISHAY SMD or Through Hole | T93YB200R10%TUE3.pdf |