창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84B4V3-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84B3V0 - BZX84B39 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84B4V3-FDITR BZX84B4V37F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84B4V3-7-F | |
| 관련 링크 | BZX84B4, BZX84B4V3-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 381LX333M010J452 | 33000µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | 381LX333M010J452.pdf | |
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![]() | 1808WC102MAT9A | 1000pF 2500V(2.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808WC102MAT9A.pdf | |
![]() | S6K | DIODE GEN PURP 800V 6A DO4 | S6K.pdf | |
![]() | SP1008-102H | 1µH Shielded Wirewound Inductor 705mA 228 mOhm Max Nonstandard | SP1008-102H.pdf | |
![]() | UM770062 | UM770062 ORIGINAL SOP-48L | UM770062.pdf | |
![]() | AS393MTR | AS393MTR BCD SOP8 | AS393MTR.pdf | |
![]() | ALXC800EETJCVD-C1 | ALXC800EETJCVD-C1 ORIGINAL SMD or Through Hole | ALXC800EETJCVD-C1.pdf | |
![]() | S3C2800X01-E80 | S3C2800X01-E80 ORIGINAL TQFP | S3C2800X01-E80.pdf | |
![]() | 67096-003 | 67096-003 BERG/FCI SMD or Through Hole | 67096-003.pdf | |
![]() | SU150-110S15-FA | SU150-110S15-FA SUCCEED 139 88 25(mm) | SU150-110S15-FA.pdf | |
![]() | MN73200CQ | MN73200CQ PANASONI SMD or Through Hole | MN73200CQ.pdf |