창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84B33-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84B3V0 - BZX84B39 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 23.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84B33-FDITR BZX84B337F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84B33-7-F | |
| 관련 링크 | BZX84B3, BZX84B33-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | LBR2012T2R2MV | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 130 mOhm 0805 (2012 Metric) | LBR2012T2R2MV.pdf | |
![]() | P51-200-S-AF-MD-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Male - 9/16" (14.29mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-S-AF-MD-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | BGY861 | BGY861 PHI RFmodel | BGY861.pdf | |
![]() | MB6045 | MB6045 PFS DIP | MB6045.pdf | |
![]() | 30GWJ2C24C | 30GWJ2C24C ORIGINAL TO220 | 30GWJ2C24C.pdf | |
![]() | LEGICRFCHIPSC-0050 | LEGICRFCHIPSC-0050 ORIGINAL SMD or Through Hole | LEGICRFCHIPSC-0050.pdf | |
![]() | DT180F | DT180F EUPEC FBGA | DT180F.pdf | |
![]() | ICS912BF7 | ICS912BF7 ICS SOP-8 | ICS912BF7.pdf | |
![]() | GZ2012D151T | GZ2012D151T ORIGINAL SMD or Through Hole | GZ2012D151T.pdf | |
![]() | 5V43G-4P10 | 5V43G-4P10 TOSHIBA QFP | 5V43G-4P10.pdf | |
![]() | 07D621KJ | 07D621KJ RUILON DIP | 07D621KJ.pdf | |
![]() | CS3216X5R107M160NR | CS3216X5R107M160NR SAMWHA SMD | CS3216X5R107M160NR.pdf |