창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84B27-G3-08 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84-G Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 18.9V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84B27-G3-08 | |
관련 링크 | BZX84B27, BZX84B27-G3-08 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | NTMFD4C87NT3G | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN | NTMFD4C87NT3G.pdf | |
![]() | MG06150S-BN4MM | IGBT 600V 225A 500W PKG S | MG06150S-BN4MM.pdf | |
![]() | CRCW25122M40JNTG | RES SMD 2.4M OHM 5% 1W 2512 | CRCW25122M40JNTG.pdf | |
![]() | IMC353035M12 | Inductive Proximity Sensor 1.378" (35mm) IP67 Cylinder, Threaded - M30 | IMC353035M12.pdf | |
![]() | 820-231 | 820-231 ALLEGRO ZIP12 | 820-231.pdf | |
![]() | SD211DE/R | SD211DE/R PHILIPS CAN4 | SD211DE/R.pdf | |
![]() | B41896W8477M000 | B41896W8477M000 EPCOS DIP | B41896W8477M000.pdf | |
![]() | BTC100-70B-200-1 | BTC100-70B-200-1 ARISTOTLE SMD or Through Hole | BTC100-70B-200-1.pdf | |
![]() | MCC132-08IOIB | MCC132-08IOIB IXYS SMD or Through Hole | MCC132-08IOIB.pdf | |
![]() | A700X157M006AT | A700X157M006AT KEMET E | A700X157M006AT.pdf | |
![]() | IS61NLP25636A200B3LI | IS61NLP25636A200B3LI ISSI AYBGA | IS61NLP25636A200B3LI.pdf | |
![]() | 74453147- | 74453147- WE SMD | 74453147-.pdf |