창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84B18-V-GS08 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | BZX84B18-V-GS08 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOT-23 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84B18-V-GS08 | |
| 관련 링크 | BZX84B18-, BZX84B18-V-GS08 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | C0805C689K5GACTU | 6.8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C689K5GACTU.pdf | |
![]() | MKP385439040JI20W0 | 0.39µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial | MKP385439040JI20W0.pdf | |
| AM-40.000MEEQ-T | 40MHz ±10ppm 수정 10pF 60옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | AM-40.000MEEQ-T.pdf | ||
![]() | VS-VSKN105/10 | MODULE DIODE 1000V 105A ADD-A-PA | VS-VSKN105/10.pdf | |
![]() | NS10155T1R5NNV | 1.5µH Unshielded Wirewound Inductor 8.39A 7.2 mOhm Max Nonstandard | NS10155T1R5NNV.pdf | |
![]() | NRS6014T6R8MMGGV | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 1.65A 138 mOhm Max Nonstandard | NRS6014T6R8MMGGV.pdf | |
![]() | RG3216V-6190-P-T1 | RES SMD 619 OHM 0.02% 1/4W 1206 | RG3216V-6190-P-T1.pdf | |
![]() | AUIRLU3110Z | AUIRLU3110Z IR SMD or Through Hole | AUIRLU3110Z.pdf | |
![]() | NIS04J9N1TRF | NIS04J9N1TRF NIS SMD | NIS04J9N1TRF.pdf | |
![]() | FN1A4M-T2B(M33) | FN1A4M-T2B(M33) NEC SOT23 | FN1A4M-T2B(M33).pdf | |
![]() | NRVBM120ET1 | NRVBM120ET1 ON SMD or Through Hole | NRVBM120ET1.pdf |