창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84B16LT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84(B,C)xzxLT1G, SZBZX84(B,C)xzxLT1G | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 02/Jan/2007 | |
PCN 설계/사양 | Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire 08/Jun/2009 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 11.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84B16LT1GOS BZX84B16LT1GOS-ND BZX84B16LT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84B16LT1G | |
관련 링크 | BZX84B1, BZX84B16LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 2100LL-1R5-H-RC | 1.5µH Shielded Toroidal Inductor 18.5A 3 mOhm Max Radial | 2100LL-1R5-H-RC.pdf | |
![]() | KTR10EZPF4750 | RES SMD 475 OHM 1% 1/8W 0805 | KTR10EZPF4750.pdf | |
![]() | MN1876478HF1 | MN1876478HF1 HITACHI DIP-64 | MN1876478HF1.pdf | |
![]() | EM6A6165TS | EM6A6165TS ETRON TSOP | EM6A6165TS.pdf | |
![]() | HA1E-AC100V | HA1E-AC100V ORIGINAL SMD or Through Hole | HA1E-AC100V.pdf | |
![]() | LDB5 | LDB5 FENGDAIC SOT23-5 | LDB5.pdf | |
![]() | GXR2W332YF | GXR2W332YF HIT DIP | GXR2W332YF.pdf | |
![]() | MVR32HXBRN33 | MVR32HXBRN33 ROHM SMD or Through Hole | MVR32HXBRN33.pdf | |
![]() | LT3757MPMSE#PBF | LT3757MPMSE#PBF LINEAR MSOP-10 | LT3757MPMSE#PBF.pdf | |
![]() | ESDALC6V1-1M2-ST | ESDALC6V1-1M2-ST ORIGINAL SMD or Through Hole | ESDALC6V1-1M2-ST.pdf | |
![]() | MAAM02350 | MAAM02350 M/A-COM SMD or Through Hole | MAAM02350.pdf |