창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX79C8V2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX79C2V4 - BZX79C56 | |
PCN 설계/사양 | Die Dimension 02/Nov/2007 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 700nA @ 5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 100mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX79C8V2 | |
관련 링크 | BZX79, BZX79C8V2 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CMF50309R00FHEB | RES 309 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50309R00FHEB.pdf | |
![]() | R1800F | R1800F H DO-41 | R1800F.pdf | |
![]() | QMV978ASS | QMV978ASS LSI BGA | QMV978ASS.pdf | |
![]() | CSTCC4.09MG0H6-TC 4.09MHZ | CSTCC4.09MG0H6-TC 4.09MHZ MURATA 3P 3 7 | CSTCC4.09MG0H6-TC 4.09MHZ.pdf | |
![]() | BF542 | BF542 ti SMD or Through Hole | BF542.pdf | |
![]() | FZNR | FZNR ORIGINAL 3SOT-23 | FZNR.pdf | |
![]() | 2SK3638-ZK | 2SK3638-ZK NEC TO-252 | 2SK3638-ZK.pdf | |
![]() | HEP16DR2 | HEP16DR2 MOT SOP8 | HEP16DR2.pdf | |
![]() | S3AT/R | S3AT/R PANJIT SMCDO-214AB | S3AT/R.pdf | |
![]() | SAA780P+67 | SAA780P+67 PHI SMD or Through Hole | SAA780P+67.pdf | |
![]() | R25G104JT | R25G104JT CAP RES | R25G104JT.pdf | |
![]() | KS5912FH3 | KS5912FH3 ORIGINAL IC | KS5912FH3.pdf |