창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX79C6V2_T50R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX79C2V4 - BZX79C56 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 100mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BZX79C6V2_T50R-ND BZX79C6V2_T50RTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX79C6V2_T50R | |
| 관련 링크 | BZX79C6V, BZX79C6V2_T50R 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | STGFW30NC60V | IGBT 600V 36A 80W TO3PF | STGFW30NC60V.pdf | |
![]() | HM71S-06032R2LFTR | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 920mA 50 mOhm Max Nonstandard | HM71S-06032R2LFTR.pdf | |
![]() | RC0402DR-0711KL | RES SMD 11K OHM 0.5% 1/16W 0402 | RC0402DR-0711KL.pdf | |
![]() | H45K36DYA | RES 5.36K OHM 1/2W 0.5% AXIAL | H45K36DYA.pdf | |
![]() | MSF4800S-20-1200-20-0320-10X-1 | SAFETY LIGHT CURTAIN | MSF4800S-20-1200-20-0320-10X-1.pdf | |
![]() | 2SK1017-01 | 2SK1017-01 FUJI TO-3P | 2SK1017-01.pdf | |
![]() | LC35260M-70 | LC35260M-70 SANYO SMD or Through Hole | LC35260M-70.pdf | |
![]() | PNX4900 | PNX4900 ORIGINAL SMD or Through Hole | PNX4900.pdf | |
![]() | C1005X7R1H272KT000P | C1005X7R1H272KT000P TDKCOMPONTESUSAINCQUALCOMM/QPE SMD | C1005X7R1H272KT000P.pdf | |
![]() | K4S560832E-TC60 | K4S560832E-TC60 SAMSUNG TSOP54 | K4S560832E-TC60.pdf | |
![]() | 2SK3340 | 2SK3340 FUJI TO-247 | 2SK3340.pdf | |
![]() | GP1UA281QK GP9UA281QK HB | GP1UA281QK GP9UA281QK HB SHARP DIP-5 | GP1UA281QK GP9UA281QK HB.pdf |