창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX79-C8V2,133 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX79 Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 700nA @ 5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | ALF2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 568-11745-3 933117770133 BZX79-C8V2 AMO BZX79-C8V2 AMO-ND BZX79-C8V2,133-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX79-C8V2,133 | |
관련 링크 | BZX79-C8, BZX79-C8V2,133 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | GF1M/1754 | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA | GF1M/1754.pdf | |
![]() | IDT83905AMLF | IDT83905AMLF IDT SMD or Through Hole | IDT83905AMLF.pdf | |
![]() | LM111DE/883 | LM111DE/883 ORIGINAL CDIP8 | LM111DE/883.pdf | |
![]() | QRF0610T30 | QRF0610T30 POWEREX MODULE | QRF0610T30.pdf | |
![]() | 2151ABP5864 | 2151ABP5864 AnalogPower SMD or Through Hole | 2151ABP5864.pdf | |
![]() | ST733C04LF.0 | ST733C04LF.0 ORIGINAL SMD or Through Hole | ST733C04LF.0.pdf | |
![]() | B32520C6103K000 | B32520C6103K000 EPCOS SMD or Through Hole | B32520C6103K000.pdf | |
![]() | SMAT26A | SMAT26A WNC SMA | SMAT26A.pdf | |
![]() | DF12A-36DS-0.5V | DF12A-36DS-0.5V HRS SMD or Through Hole | DF12A-36DS-0.5V.pdf | |
![]() | IPA60R600E6 | IPA60R600E6 infineon Tape | IPA60R600E6.pdf |