창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX79-C56,113 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX79 Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 56V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 200옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 39.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | ALF2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 933117970113 BZX79-C56 T/R BZX79-C56 T/R-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX79-C56,113 | |
관련 링크 | BZX79-C, BZX79-C56,113 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | C1206Y104K5RACTU | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.130" L x 0.063" W(3.30mm x 1.60mm) | C1206Y104K5RACTU.pdf | |
![]() | S300E | DIODE GEN PURP 300V 300A DO205AB | S300E.pdf | |
![]() | HZ0805B252R-10 | 2.5 kOhm Impedance Ferrite Bead 0805 (2012 Metric) Surface Mount Signal Line 200mA 1 Lines DCR -40°C ~ 125°C | HZ0805B252R-10.pdf | |
![]() | TNPW1210680KBEEN | RES SMD 680K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW1210680KBEEN.pdf | |
![]() | 1-1879359-7 | RES SMD 75 OHM 0.1% 1/16W 0603 | 1-1879359-7.pdf | |
![]() | 12020403 | 12020403 DELPHI con | 12020403.pdf | |
![]() | B2010000 | B2010000 ON TO-3P | B2010000.pdf | |
![]() | DH3856FS-E2 | DH3856FS-E2 ORIGINAL SMD or Through Hole | DH3856FS-E2.pdf | |
![]() | 545480690 | 545480690 MOIEX SMD or Through Hole | 545480690.pdf | |
![]() | CBB81 122/1600 P15 | CBB81 122/1600 P15 HBCKAY SMD or Through Hole | CBB81 122/1600 P15.pdf | |
![]() | F150G-VF150G-V0.25-MEM | F150G-VF150G-V0.25-MEM ORIGINAL SMD or Through Hole | F150G-VF150G-V0.25-MEM.pdf | |
![]() | ES/F197 | ES/F197 FUJITS SMD or Through Hole | ES/F197.pdf |