창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX79-C3V9,113 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX79 Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | ALF2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 568-11843-2-ND 933117690113 BZX79-C3V9 T/R BZX79-C3V9 T/R-ND BZX79-C3V9,113-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX79-C3V9,113 | |
관련 링크 | BZX79-C3, BZX79-C3V9,113 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | SIT8008BI-72-33E-49.09090E | OSC XO 3.3V 49.0909MHZ OE | SIT8008BI-72-33E-49.09090E.pdf | |
![]() | RNF14FAD35K7 | RES 35.7K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FAD35K7.pdf | |
![]() | 2207-RC | 2207-RC BOURNS DIP | 2207-RC.pdf | |
![]() | HCF4505BDB | HCF4505BDB PHILIPS CDIP-14 | HCF4505BDB.pdf | |
![]() | PFAF250E108MPDTEAS | PFAF250E108MPDTEAS NECTOKIN BGA | PFAF250E108MPDTEAS.pdf | |
![]() | 62212-01I | 62212-01I ORIGINAL QFP | 62212-01I.pdf | |
![]() | SAFEB1G84FA0F00R12/ROHS/1842.5MHZ | SAFEB1G84FA0F00R12/ROHS/1842.5MHZ FUJITSU 2x1.6x0.6MM | SAFEB1G84FA0F00R12/ROHS/1842.5MHZ.pdf | |
![]() | IS2308 | IS2308 VISHAY SOT23 | IS2308.pdf | |
![]() | B37947K9103J62V2 | B37947K9103J62V2 EPCOS SMD or Through Hole | B37947K9103J62V2.pdf | |
![]() | CS300EK2 | CS300EK2 ORIGINAL SMD or Through Hole | CS300EK2.pdf | |
![]() | GSDR31P-6R8M | GSDR31P-6R8M ORIGINAL SMD or Through Hole | GSDR31P-6R8M.pdf | |
![]() | 293D336X0016C2T/16V/33UF/C | 293D336X0016C2T/16V/33UF/C VISHAY C | 293D336X0016C2T/16V/33UF/C.pdf |